型号:

BZX79-B9V1,143

RoHS:无铅 / 符合
制造商:NXP Semiconductors描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO-35
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
BZX79-B9V1,143 PDF
标准包装 5,000
系列 -
电压 - 齐纳(标称)(Vz) 9.1V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) 900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电 500nA @ 6V
容差 ±2%
功率 - 最大 400mW
阻抗(最大)(Zzt) 15 欧姆
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商设备封装 ALF2
包装 带盒(TB)
工作温度 -65°C ~ 200°C
其它名称 568-5795-2
568-5795-2-ND
568-5795-3
933166860143
BZX79-B9V1,143-ND
相关参数
C1206C823M5UACTU Kemet CAP CER 0.082UF 50V 20% Z5U 1206
CDR7D28MNNP-4R6NC SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC INDUCTOR 4.6UH 3.15A SHIELDED
EPM3064ATI44-10 Altera IC MAX 3000A CPLD 64 44-TQFP
GRM31MR72A473KA01L Murata Electronics North America CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206
ELJ-FC1R5KF Panasonic Electronic Components INDUCTOR FIXED SMD 1.5UH 10%
C1206C683M5RACTU Kemet CAP CER 0.068UF 50V 20% X7R 1206
CDR7D28MNNP-2R0NC SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC INDUCTOR 2.0UH 4.3A SHIELDED
GRM31MR72A473KA01L Murata Electronics North America CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206
TPSD477K004R0045 AVX Corporation CAP TANT 470UF 4V 10% 2917
BZX79-B9V1,113 NXP Semiconductors DIODE ZENER 9.1V 500MW DO-35
GRM31MR72A473KA01L Murata Electronics North America CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206
EPM3064ATC44-7 Altera IC MAX 3000A CPLD 64 44-TQFP
C1206C682K1RACTU Kemet CAP CER 6800PF 100V 10% X7R 1206
GRM21BR71H224MA01L Murata Electronics North America CAP CER 0.22UF 50V 20% X7R 0805
CDR7D28MNNP-2R0NC SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC INDUCTOR 2.0UH 4.3A SHIELDED
4-641285-2 TE Connectivity 12 CIR MTA 156 EDG CON F/T LF
GRM21BR71H224MA01L Murata Electronics North America CAP CER 0.22UF 50V 20% X7R 0805
EPM3064ATI44-10N Altera IC MAX 3000A CPLD 64 44-TQFP
BZX79-B11,133 NXP Semiconductors DIODE ZENER 11V 500MW DO-35
RB550VA-30TR Rohm Semiconductor DIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2